（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201811302567.9 （22）申请日 2018.11.02
（71）申请人 山东天岳先进材料科技有限公司
地址 250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
（10）申请公布号 CN109234804A
（43）申请公布日 2019.01.18
（72）发明人 宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;刘家朋;窦文涛 （74）专利代理机构 济南千慧专利事务所(普通合伙企业)
代理人 赵长林
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种碳化硅单晶生长方法
（57）摘要
本申请涉及一种碳化硅单晶生长方法，所
述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si与SiC的混合物或Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si元素补充装置上设有若干通孔；所述Si元素补充装置为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚；在晶体生长过程中，Si与SiC的混合物或Si粉可穿过通孔为碳化硅单晶的生长
补充Si元素。本申请可以有效的调节在碳化硅单晶生长中生长腔室中的Si/C比例，从而减少单晶生长产生的碳包裹体缺陷以及调节原料区的温度场分布，减少原料的碳化。
法律状态
法律状态公告日
2019-01-18 2019-01-18 2019-01-18 2019-02-19 2019-02-19 2020-01-14
法律状态信息
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种碳化硅单晶生长方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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