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专利名称：氮化物半导体装置及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：盐泽胜臣,金本恭三,大石敏之,樽井阳一郎,德田安纪申请号：CN200810184420.4申请日：20081219公开号：CN101465519A公开日：20090624
摘要：本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。本发明提供能够降低在P型电极与氮化物半导体层的界面的接触电阻的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置(10)包括：P型氮化物半导体层(1)；和形成于P型氮化物半导体层(1)上的P型电极(3)，P型电极(3)通过在P型氮化物半导体层(1)上依次层叠由功函数为5.1eV以上的金属构成的金属层(3a)；由钯(Pd)构成的Pd层(3b)；和由钽(Ta)构成的Ta层(3c)而被形成。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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