专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：氮化物半导体器件的形成工艺专利类型：发明专利发明人：真壁勇夫
申请号：CN20181082.2申请日：20180807公开号：CN109390212A公开日：20190226
摘要：本发明公开了形成主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件的工艺。该工艺包括以下步骤：(a)在衬底上依次生长包括沟道层和阻挡层的半导体堆叠体，其中衬底上的沟道层由氮化镓(GaN)制成；(b)对阻挡层上的掩模进行图案化；(c)使用掩模对阻挡层的一部分和沟道层的一部分进行蚀刻，以在半导体堆叠体中形成凹槽；(d)使用氮气(N)作为载气，在最高1000℃的温度下选择性地在凹槽内生长接触层。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
