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专利名称：巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结专利类型：发明专利
发明人：韩秀峰,唐萍,郭晨阳,万蔡华申请号：CN202010108087.X申请日：20171225公开号：CN111384233A公开日：20200707
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街8号
国籍：CN
代理机构：北京市正见永申律师事务所
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