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专利名称：一种射频微波器件及微量氮掺杂石墨烯薄膜专利类型：发明专利
发明人：何大平,吴志鹏,宋荣国申请号：CN201710456298.0申请日：20170616公开号：CN107274958A公开日：20171020
摘要：本发明公开了一种射频微波器件及微量氮掺杂石墨烯薄膜。氮掺杂石墨烯薄膜，采用以下方法制备而来：将聚酰亚胺、聚酰胺、氮掺杂石墨烯印刷成膜，厚度控制在5‑100μm；50‑200℃热压成型，制得石墨薄膜；将所得石墨薄膜置于石墨高温炉，分别经200‑600℃与2000‑3000℃热处理，最后50‑200℃热压成型，制得柔性石墨烯薄膜。射频微波器件采用上述氮掺杂石墨烯薄膜制备而来。本发明制备的石墨烯薄膜与传统的碳基材料相比具有高面内取向结构，是的其有优良的导电性和低平面阻抗，其导电率可以比拟金属导电性，同时，具有低消耗特性，并且可以弯曲，成本低廉、制作过程简单、更加环保的优点。
申请人：武汉理工大学
地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
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