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专利名称：混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：卢靖,黄剑锋,曹丽云,吴建鹏,赵东辉申请号：CN201010615749.9申请日：20101230公开号：CN102041475A公开日：20110504
摘要：混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法，将TiO和CoO混合造粒后预烧制得靶材；将基片放入丙酮、乙醇混合溶液中超声清洗；将清洗后的基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，再将靶材置于磁控靶位，对镀膜室和样品室内抽真空，向镀膜室内通入Ar气对基片表面进行反溅清洗；反溅清洗完毕后，施加射频溅射功率启辉并移开靶材和基片的挡板，开始向基片镀膜；镀膜完成后，关闭挡板及靶材电源，待镀膜室内温度降至室温时，关闭真空系统和总电源；将所制备的薄膜在马弗炉退火处理得钛酸钴薄膜。本发明采用两种金属氧化物作为反应物制备混合靶材，在等离子体状态下发生化学反应合成钛酸钴薄膜，反应效率高，且薄膜的附着力强，耐久性和稳定性高。
申请人：陕西科技大学
地址：710021 陕西省西安市未央区大学园
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：陆万寿
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