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专利名称：一种CMOS图像传感器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：陈多金,唐冕,陈杰,旷章曲申请号：CN201310104808.X申请日：20130328公开号：CN103151365A公开日：20130612
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，该传感器包括：基底及位于基底上方的像素单元；所述像素单元包括：阴性金属氧化物半导体NMOS管及感光二极管；所述NMOS管的源极和漏极及所述感光二极管的感光区为阴性N型注入层，所述NMOS管与感光二极管通过阳性P型注入层连为一体，且所述P型注入层与所述NMOS管及感光二极管中的N型注入层形成PN结；所述像素单元通过PN结及设置在基底上部的P型掩埋层与所述基底连为一体。通过使用本发明公开的CMOS图像传感器提高了灵敏度高及成像质量，降低了暗电流。
申请人：北京思比科微电子技术股份有限公司
地址：100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室
国籍：CN
代理机构：北京凯特来知识产权代理有限公司
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