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专利名称：用于金属栅极的制造技术专利类型：发明专利发明人：雷通,陈勇跃,周海锋申请号：CN201611169046.1申请日：20161216公开号：CN106783740A公开日：20170531
摘要：本公开内容的一个方面是一种通过在ILD0层之上形成特殊层以代替传统TiN硬掩模来制造金属栅极的方法，以避免由于传统的ILD0 CMP造成的ILD0损耗。该方法可包括：在ILD0 CMP之后，在ILD0层之上形成薄的第一可灰化膜层；然后在该第一层之上形成薄的第二介电层；在针对第一区域(例如PMOS或NMOS)的铝CMP工艺期间，通过抛光移除第二层直至第一可灰化膜层的顶表面；以及然后通过诸如燃烧之类的灰化法移除第一可灰化膜层。以此方式，可降低第一铝CMP步骤期间的ILD0损耗并由此降低ILD0的初始高度，这进而可以降低填充在腔中的初始虚栅极的高度。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：徐伟
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