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专利名称：低电电压控制方法和装置专利类型：发明专利
发明人：崔钟贤,柳济焕,李宗彦,张贤淳申请号：CN02116186.0申请日：20020423公开号：CN1384504A公开日：20021211
摘要：一种半导体装置,用于控制半导体存储器的进入和退出低电模式(DPD),包括:多个电压发生器,用于提供工作电压到所述半导体存储器;DPD控制器,用于检测DPD状态和产生DPD信号以控制所述工作电压施加到所述半导体存储器;和控制电路,用于控制在DPD模式的进入/退出后接通/关断所述多个电压发生器的时刻,以便减少通过所述半导体存储器的电涌到小于最大电流值。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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