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专利名称：低电电压控制方法和装置专利类型：发明专利
发明人：崔钟贤,柳济焕,李宗彦,张贤淳申请号：CN02116187.9申请日：20020423公开号：CN1384505A公开日：20021211
摘要：一种控制半导体存储器的进入和退出低电(DPD)模式的半导体装置,包括:多个电压发生器,提供工作电压;DPD控制器,检测DPD条件,产生DPD信号,控制施加工作电压到半导体存储器;偏置电路,将至少一个电压发生器的多个节点偏置为至少一个预定电位以防在进入/退出DPD模式时误触发电路。另一种半导体装置包括:多个输入缓冲器,缓冲多个DPD型信号;辅助缓冲器,个别缓冲DPD进入/退出信号;多个电压发生器,向内部电路提供工作电压;DPD控制电路,接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令,解码DPD进入命令时输出电压发生器控制信号以关断电压发生器,关断除辅助缓冲器外的多个缓冲器;自动脉冲发生器,收到DPD退出命令时产生电压脉冲以启动半导体装置的内部电路。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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