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专利名称：半导体发光装置专利类型：实用新型专利发明人：小山田和
申请号：CN201320712525.9申请日：20131112公开号：CN203774363U公开日：20140813
摘要：本实用新型提供一种通过使用荧光体片而保持维持小型、容易制作且发光颜色容易管理的结构的、能够得到较大的总光通量的LED装置。一种半导体发光装置，具有：透明绝缘基板；半导体发光元件，所述半导体发光元件具有在透明绝缘基板的下表面形成的半导体层；荧光树脂，所述荧光树脂覆盖透明绝缘基板的侧面，并对半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换；以及荧光体片，所述荧光体片覆盖荧光树脂的上表面，并且贴附于所述透明绝缘基板。荧光体片的平面形状与所述荧光树脂的周围形状相同，荧光体片的平面形状确定整个装置的平面外形。
申请人：西铁城控股株式会社,西铁城电子株式会社
地址：日本东京都西东京市田无町六丁目1番12号
国籍：JP
代理机构：上海市华诚律师事务所
代理人：徐晓静
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