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专利名称：存储器专利类型：实用新型专利发明人：不公告发明人申请号：CN201920861212.7申请日：20190610公开号：CN209785940U公开日：20191213
摘要：本实用新型涉及一种存储器，所述存储器包括：包括：衬底，所述衬底内形成有自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一隔离结构，所述位线和第一隔离结构沿第一方向延伸；位于所述衬底内沿第一方向延伸的位于所述位线两侧的第三隔离结构；位于所述衬底内且位于所述沟道掺杂层内的字线结构，以及贯穿所述字线结构的第二隔离结构，所述字线结构和第二隔离结构沿第二方向延伸。上述方法存储器的存储密度提高。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
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