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专利名称：光调制器的制造方法以及光调制器专利类型：发明专利发明人：柴田公隆
申请号：CN201310427136.6申请日：20130918公开号：CN103682978A公开日：20140326
摘要：本发明提供一种光调制器的制造方法以及光调制器。是具备激光二极管部以及EAM部（20）的光调制器的制造方法。在半导体衬底（100）上设置作为用于制造激光二极管部的半导体层的LD生长层。在半导体衬底（100）上设置用于形成EAM部（20）的EAM吸收层（120）。测定EAM吸收层（120）的光致发光波长。蚀刻LD生长层而形成带构造部。以LD部（30）的振荡波长与EAM部（20）的光致发光波长之差接近设计值的方式设计带构造部的宽度。从而能够高精度地进行用于降低激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长的设计值的差异的调节。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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