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专利名称：半导体集成电路器件专利类型：发明专利
发明人：森凉,山田利夫,村谷哲也申请号：CN200510087600.7申请日：20050728公开号：CN1741190A公开日：20060301
摘要：本发明提供一种减小了漏电流的具有SRAM的半导体集成电路器件。在包括多个存储单元的SRAM中，提供衬底偏置切换电路，其中每个存储单元由存储器和选择MOSFET构成，在所述存储器中，两个反相器电路的输入端和输出端交叉连接，所述选择MOSFET设置在存储器和互补位线之间，并且其栅极连接到字线。在正常操作中，衬底偏置切换电路将电源电压提供给其中形成存储单元的P沟道MOSFET的N型阱，并将电路的地电位提供给其中形成N沟道MOSFET的P型阱。在备用状态下，衬底偏置切换电路将比电源电压低并且通过它使N型阱和P沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给N型阱，并且将比地电位高并通过其使P型阱和N沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给P型阱。
申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：夏青
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