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专利名称：一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置专利类型：发明专利
发明人：黄秋香,张峻诚,谢建,陈明金,陶尚辉,高云峰申请号：CN201410053331.1申请日：20140217公开号：CN104842073A公开日：20150819
摘要：本发明涉及太阳能电池刻蚀技术领域，公开了薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置。该方法包括步骤S1.形成薄膜太阳能电池的步骤，所述薄膜太阳能电池包括玻璃基板、前电极、半导体层和背电极；步骤S2.采用波长为532nm的激光透过玻璃基板和前电极后对半导体层和背电极进行激光刻蚀。本发明可使薄膜太阳能电池既具有电池的发电功能又具有透光性，满足了光伏建筑一体系统的需求。
申请人：大族激光科技产业集团股份有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号
国籍：CN
代理机构：北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人：王昌贵
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