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专利名称：一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构专利类型：实用新型专利发明人：王宏杰,马雷,彭小滔申请号：CN201720099984.2申请日：20170123公开号：CN2012345U公开日：20170815
摘要：本实用新型公开了一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构，其特征是一个功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部，功率放大芯片背面粘贴于基板内部的金属层上；功率放大芯片正面的电极通过基板内部的金属印制电路和过孔进行信号传输，并最终连接至基板外表层相应的焊盘；其它组成元件焊接于基板外表面，然后整体塑封。本实用新型能使功率放大芯片的散热路径尽可能缩短，同时又能充分利用基板内部空间，减少模块的平面面积，从而达到高散热性和缩小器件尺寸的目的。
申请人：合肥雷诚微电子有限责任公司
地址：230000 安徽省合肥市望江西路800号创新产业园A3座408室
国籍：CN
代理机构：安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
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