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专利名称：低钴含量电极活性材料专利类型：发明专利
发明人：黄桂清,莫博山,莫有德申请号：CN202010180595.9申请日：20200316公开号：CN111525104A公开日：20200811
摘要：本发明公开了低钴含量电极活性材料，所述电极活性材料由通式(Ⅰ)表示：LiMnNiO·LiCoO·D*C (Ⅰ)；其中，x>0，0
申请人：广西诺方储能科技有限公司,波士顿环球技术公司
地址：530227 广西壮族自治区南宁市吴圩镇明阳三路140号
国籍：CN
代理机构：厦门市宽信知识产权代理有限公司
代理人：宁霞光
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