具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN02107438.0 （22）申请日 2002.03.15

（71）申请人 尔必达存储器株式会社

地址 日本东京

（10）申请公布号 CN1213463C （43）申请公布日 2005.08.03

（72）发明人 小野泰弘;篠原壮太

（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人 穆德骏

（51）Int.CI

H01L21/3213; H01L21/3065;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法

（57）摘要

一种半导体器件的制造方法包含下列

步骤。首先，依次在Si衬底上形成Ru或RuO 法律状态

法律状态公告日

2002-07-03 2002-07-03 2002-10-23 2002-10-23 2003-01-15

法律状态信息

实质审查的生效 实质审查的生效 公开 公开

实质审查的生效

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效 公开 公开

实质审查的生效

法律状态公告日

2003-01-15 2003-05-28 2003-05-28 2003-05-28 2005-08-03 2005-08-03 2013-09-25 2013-09-25 2016-05-11 2016-05-11

法律状态信息

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止 专利权的终止

法律状态

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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