■■——一 月度新品总汇 Ｓｉ３４８ｘ系列：电源管理芯片 Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ推出Ｓｉ３４８ｘ系列电源管理ＩＣ， 分立器件 可降低以太附供电（ＰｏＥ）电源供应设备（ＰＳＥ）的系统成本 并提升系统性能。可搭 配Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｌａｂｓ广受欢 迎的Ｓｉ３４５２ ＰＳＥ控制 器… 同使用，针对网管 和非网管交换器和路由 器、网络电话交换机（ｉＰＢＸ）、ＩＰ网络安防系统、机顶盒及 电源接入器（Ｐｏｗｅｒ ｉｎｊｅｃｔｏｒ）等。 Ｓｉ３４８ｘ电源管理ｌＣ利 Ｓｉ３４５２ ＰｏＥ控制器的实时 电流及电压监测功能，可依据实际的功耗运行主动电源管 理。Ｓｉ３４８０提供一种可编程化管脚、运行的解决方案。 Ｓｉ３４８２电源管理ＩＣ可以运朋Ｓｉ３４５２控制器的实时电压和电 流监测功能，管理４８端口的３个电源供电设备。Ｓｉ３４８２组 件能由其主机通过ＳＰＩ或ＵＡＲＴ接【＿＝＿＝Ｉ进行编程，进而设定供 电能力、端口功率配置、各端口优先级、检测时 及故障复 原协议。一旦编程完成后，Ｓｉ３４８２便能在主机不介入的情况 下，利用之前存储的配置数据进行运作．．翳圈薯 豳 Ｓｌｌｉｃｏｎ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ ｗｗｗ．ｓｉｌａｂＳ ＣＯＦＩ７ ＴＰＳ２４８０电源监控 德州仪器（Ｔｆ）推出一款集成热插拔控制与高精度数字电 流监控功能的最新高集成 提供最高精确度的电源使 用测量与不同温度下不到 １％的误差精度，从而可 帮助系统设计人员生成详 细的系统性能历史记录， 预测故障情况，实施高级 系统电源健康监控。具有数字监控功能的电源保护，在最大 限度地降低浪涌电流，保护负载与ＦＥＴ免受过流或短路的 影响。它不但可控制外部Ｎ通道ＭＯＳＦＥＴ开关，而且还可 通过１２Ｃ接口提供准确的电压、电流以及电源监视功能。 ＴＰＳ２４８０的主要特性与优势：输入电压：９Ｖ－２０Ｖ； 动态校准、可编程ＦＥＴ功率以及故障定时器；１２Ｃ电流、 电压与电源监控；电流监控精度高（不 温度下１％的误 差精度）。露盈弱豳 ＊ｒｅ ｘａｓ ｌｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＷＷＷ．ｔｉ．ｃｏｒｎ Ｌ一一… 一叭… ＳｉＨＧ４７Ｎ６０Ｓ：功率ＭＯＳＦＥＴ Ｖｉｓｈａｙ推出新款６００Ｖ、４７Ａ Ｎ沟道功率ＭＯＳＦＥＴ— ＳｉＨＧ４７Ｎ６０Ｓ，该ＭＯＳＦＥＴ在１ ＯＶ栅极驱动下具有０．０７ １ 的最大导通电阻，栅极电荷２１６ｎＣ，采用ＴＯ．２４７封装。 ＳｉＨＧ４７Ｎ６０Ｓ的优值系数（ＦＯＭ）为１５．１２Ｄ・ｎＣ。 ＳｉＨＧ４７Ｎ６０Ｓ的低 导通电阻意味着更低的传 导损耗，从而在太阳能电 池和』ｘＩ力发电机的逆变 器、通信、服务器和电机 控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制（ＰＷＭ）全桥拓｛ 中节约能源。 新的ＳｉＨＧ４７Ｎ６０Ｓ使用Ｖｉｓｈａｙ Ｓｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ技７ 制造，这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中 受高能脉冲进行了有针对性的处理。ＭＯＳＦＥＴ符合Ｒｏｌｌ： 指令２００２／９５／ＥＣ，为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试 豳豳 № ｅ 。ｇｙ 淌，，ａ ｃｏｍＳｉＺ７１ ０ 功率Ｍ０ＳＦＥＴ Ｖｉｓｈａｙ推出采用ＰｏｗｅｒＰＡＩＲ ６ｍｍ Ｘ ３．７ｍｍ封装 ＴｒｅｎｃｈＦＥＴ Ｇｅｎ ＩＩＩ技术的非对称双通道ＴｒｅｎｃｈＦＥＴ功 ＭｏＳＦＥ卜ＳｉＺ７１ ０ＤＴ，新器件比其前一代器件的导通 阻减小４３％，同时具有 更高的最大电流并提高 效率。ＳｉＺ７１０ＤＴ在一 个小尺寸封装中整合了 低边和高边ＭＯＳＦＥＴ， 导通电阻低。 ＳｉＺ７１ ０ＤＴ的低边Ｃｈａｎｎｅｌ ２ ＭＯＳＦＥＴ利用了非 称结构在优化空间上的效果，在１ＯＶ和４．５Ｖ下的导通Ｅ 阻低至３．３ｍＤ和４．３ｍＯ，在＋２５ ｏｃ和＋７０ ｏｃ下的最大Ｅ 流为３０Ａ和２４Ａ。另外，高边Ｃｈａｎｎｅｌ １ ＭＯＳＦＥＴ自 导通电阻也有改善，往１０Ｖ和４．５Ｖ下分别为６．８ｍＤ ９．ＯｍＯ。鞠瞄 Ｖｉｓｈａｙ ｌｎ雹ｅ ｅｅ Ｏｌ０ｇ ＷＷＷ，ｖｉｓｈａｙ，ｃｏｍ
