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专利名称：半导体存储装置的测试方法及其半导体存储装置专利类型：发明专利发明人：富田浩由
申请号：CN200710142026.X申请日：20070820公开号：CN101136253A公开日：20080305
摘要：本发明提供了检测具有不平衡特性的读出放大器的半导体存储装置的测试方法及其半导体存储装置。在用于检测具有不平衡特性的读出放大器的用于半导体存储装置的测试方法中，在连接到测试目标读出放大器的第一位线的第一存储单元中恢复具有与正常操作的H和L电平不同的中间电平，电容器的电容小时的电荷量实际上被存储在第一存储单元中，然后读取第一存储单元的数据，并且基于读数据的错误的存在来检查读出放大器的失灵。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：赵淑萍
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