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专利名称：半导体发光元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：中川玲,柏叶安兵卫,新仓郁生申请号：CN200680032614.1申请日：20060905公开号：CN101258617A公开日：20080903
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件在通过渗杂施主杂质而低电阻化了的n形ZnO大块单晶基板(10)上，形成由渗杂了氮的ZnO系化合物构成的半导体薄膜作为p形层(11)而进行pn接合，优选是在n形ZnO大块单晶基板(10)的包含锌原子的面上形成p形层(11)。
申请人：西铁城东北株式会社,国立大学法人岩手大学
地址：日本岩手县
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所
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