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专利名称：反溅射刻蚀率检测方法专利类型：发明专利
发明人：羌宇星,杨奕,浦郁佳,韩晓刚,陈建维申请号：CN201310195636.1申请日：20130523公开号：CN103325707A公开日：20130925
摘要：本发明提出一种反溅射刻蚀率检测方法，包括在晶圆表面先形成第一厚度的第一金属层，并同时采用反溅射刻蚀法刻蚀所述第一金属层，并得出刻蚀后剩余的第一金属层的第二厚度，接着，继续在刻蚀后的剩余第一金属层表面形成第一厚度的第二金属层，最后，由所述第一厚度与第二厚度的厚度差以及反溅射刻蚀法的刻蚀时间计算出反溅射刻蚀率，从而实现使用一片晶圆即可检测出反溅射刻蚀率的目的，提高了晶圆的使用率，并且减少了检测的时间，增加了检测效率。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陆花
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