专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：IGBT结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张帅,刘坤
申请号：CN201110183372.9申请日：20110701公开号：CN102412270A公开日：20120411
摘要：本发明公开了一种IGBT结构，该IGBT结构中的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。这种结构增大了PN结界面的实际面积，将有效提高IGBT集电极端的单位硅片面积发射效率，提高了器件的导电能力。本发明还公开了一种IGBT结构的制备方法。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
更多信息请下载全文后查看
