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专利名称：δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：魏鸿源,刘祥林,张攀峰,焦春美,王占国申请号：CN200710065182.0申请日：20070405公开号：CN101281941A公开日：20081008
摘要：一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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