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专利名称：一种高密度无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法专利类型：发明专利
发明人：王汝江,于海培,董世昌申请号：CN202111526844.6申请日：20211215公开号：CN113912399B公开日：20220225
摘要：本发明公开了一种高密度无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，属于陶瓷制备技术领域，包括粉料处理，制备混合粉，混合粉改性，压制，真空脱脂，烧结；所述粉料处理，将碳化硅粉末加入到处理剂中，将温度升高后进行搅拌，搅拌10‑20min后使用紫外灯进行紫外照射，紫外照射40‑50min后，停止搅拌和紫外照射，并将温度降低至室温，得到粉料液，然后对粉料液进行抽滤，将滤渣烘干，得到处理后的粉料；本发明的制备方法能够在提高碳化硅陶瓷的断裂韧性，降低碳化硅陶瓷的脆性的同时，提高碳化硅陶瓷的高温强度及抗弯强度、抗氧化性、耐腐蚀性、抗磨损等性能。
申请人：山东金鸿新材料股份有限公司
地址：262100 山东省潍坊市安丘经济开发区黄山东街北侧
国籍：CN
代理机构：山东华君知识产权代理有限公司
代理人：李欣
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