场效应管各个参数符号
Cds…漏•源电容 Cdu…漏-衬底电容 Cgd-.栅.源电容 Cgs---漏■源电容
Ciss-栅短路共源输入电容 Coss—栅短路共源输出电容
Crss…栅短路共源反|何传输电容
D--.占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt—电流上升率（外电路参数） dv/dt—电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流）
IDM—漏极脉冲电流 ID（on）—通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS—漏源电流
IDSM--最大漏源电流
IDSS…栅.源短路时，漏极电流
IDS（sat）—沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG--.栅极电流（直流） IGF—jElnJ栅电流 IGR—反向栅电流
IGDO…源极开路时，截止栅电流 IGSO-漏极开路时，截止栅电流 IGM—栅极脉冲电流 IGP-W极峰值电流 IF---二极管正向电流
1GSS…漏极短路时截止栅电流 IDSS1--对管第一管漏源饱和电流
IDSS2…对管第二管漏源饱和电流 lu---衬底电流
Ips-电流脉冲峰值（外电路参数） gfs…正向跨导 Gp---功率增益
Gps-.-共源极中和高频功率增益 GpG-共栅极+和高频功率增益
GPD-共漏极中和高频功率增益 ggd…栅漏电导 gds-.-漏源电导 K-失调电压温度系数 Ku…传输系数
L--负载电感（外电路参数） LD…漏极电感
Ls---源极电感
rDS-・.漏源电阻
rDS（on）..-漏源通态电阻 rDS（of）…漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻
rGS—栅源电阻
Rg・--栅极外接电阻（外电路参数） RL—负载电阻（外电路参数） R（th）jc...结壳热阻 R（th）ja—结环热阻 PD--漏极耗散功率
PDM—漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率 POUT—输出功率
PPK…脉冲功率峰值（外电路参数） to（on）…开通延迟时间 td（off）---关断延迟时间 ti 一上升时间 ton开通时间 toff…关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj—结温
Tjm—最大允许结温 Ta—M、境温度 Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS--漏源电压（直流） VGS-栅源电压（直流）
VGSF-正向栅源电压（直流） VGSR—反向栅源电压（宜流）
VDD--.漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG-W极（直流）电源电压（外电路参数） Vss-.源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS（th）…开启电压或阀电压 V （BR） DSS—漏源击穿电压
V （BR） GSS—漏源短路时栅源击穿电压 VDS（on）—漏源通态电压 VDS（sat）—漏源饱和电压 VGD..・栅漏电压（直流） Vsu--■源衬底电压（直流） VDu—漏衬底电压（直流） VGu—栅衬底电压（直流） Zo.■•驱动源内阻
n…漏极效率（射频功率管） Vn—噪声电压
alD…漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数
场效应管的特征参数
1. 直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大 于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS-定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT它可定义为：当UDS 一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS 2. 交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管了的性能越好。 3. 极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压 结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电 流过高，则产生击穿现象。
场效应管的测试方案
场效应管除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双 极型三极管均有着明显的优势。
由于输入阻抗极高，MOSFET管栅极微量感应电荷产生的电势足以击穿绝缘层而损坏 器件。过去许多介绍绝缘栅型场效应管的资料中，一般都需要用捆扎(短接)器件的三只管脚, 待MOS管焊接到电路板之后再剪去捆扎线如图1所示，使用非常烦琐。
一、基本类型MOS管测试
MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的
NMOS管内部结构如图3、图4所示 ------- --- ------ H ----------- ---- ----------- o
图3、图4所示NMOS管的D・S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)o与图3 稍有不同，图4所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件“保护二
极管”，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。 因此，这两种管子的测量方法基木类似，具体测试步骤如下：
1. MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G・D、G・S之间 均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异 很大的现象。选择指针万用表的RxlkQ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针 出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极 D,剩余第3脚则为栅极G,如图5所示。
2. 短接G、D、S三只电极，池放掉G・S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储 电荷所建立起的电压UGSo图4所示MOS管的G・s极间接有双向保护二极管，可跳过这 一步。
3. 万用表电阻挡切换到的RxIOkQ挡（内置9V电池）后调零。将黑笔接漏极D、红笔 接源极S,经过上一步的短接放电后，UGS降为OV, MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS
为叽 故指针不会发生偏转，如图6所示。
4. 有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能作出准确的判断：第一种方法： %1 用手指碰触G・D极，此时指针向右发生偏转，如图7所示。手指松开后，指针略微 有一些摆动。
%1 用手指捏住G・S极，形成放电通道，此时指针缓慢|口|转至电阻刃的位置，如图8所
图4所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极, 指针也将自动回到电阻8的位置。值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相 关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造
成
误
判
。
第
二
种
方
法
：
①用红笔接源极S,黑笔接栅极G,对G-SZ间的等效结电容进行充电，此时可以忽
RxiOkO
略万用表指针的轻微偏转,如图9所示。
s 3
②切换到Rx1Q挡，换挡后须及时对挡位进行调零。将红笔接到源极S,黑笔移到漏
10所示。
极D,此时MOS管的D・S极导通。根据MOS管类型的不同，万用表指针停留在十儿欧姆
%1 交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S 极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为D・S极导通电阻RDS(on)。因测试条件所 限，这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。
对于图4所示的。MOS管，因G・S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度 位置后，将日动回复到电阻-位置。
至零点儿欧姆不等的位置，如图
5. 放大能力(跨导)的估测
判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的RxIOkQ电阻挡，此时表内电压较高。对于 垂直沟道的VMOS管(如2SJ353),用RxlkQ挡即可完成所有的测试功能。
将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,相当于在D・S之间加上一个9V的电压。 此时栅极开路，当用手指或撮了接触栅极G并停顿几秒时•，指针会缓慢地偏转到满刻度的1 / 3〜1/2处。指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小，用此 法测试时指针偏转幅度很小。
二、特殊小功率MOS管的测试 图3所示MOS管在目前使用较广，典型溶件如NMOS型的IRF740、IRF830. PMOS 型的IRF9630等。图4所示的MOS管以NMOS型居多,2SKI548、FS3KMI6A为这类 MOS器件的典型代表。此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并
联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图11所示。
图11所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825。这类NMOS管 与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下。1.切换到万用表的RxlkQ 挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程 中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S。这主要是由于MOS管内 部集成有两只保护二极管的缘故。
2. 为了区分漏极D与栅极G,接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识 别程序进行测试：
%1 假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G； %1 用手指捏住假设的栅极G与漏极D,观察指针的偏转情况。若指针偏转幅度较大， 则与黑笔相接的管脚即为漏极D,与红笔相接的则为栅极，测试原理如图12所示。
三、型号不明的MOS管的测量
PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠 倒。
但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单|何导电性往往只能判断出其中哪一只管 脚为栅极，而不能直接识别管了的极性和D、S极。对此，合理的测试方法如下：
1. 万用表取RxlkQ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置；
2. 将万用表切换至RxIOkQ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回 到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为 漏极D；
3. 若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停 留儿秒后IE到原位，若指针满偏则管了类型为NMOS,黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接 为源极S。
