专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：生长Ⅲ族氮化物晶体的方法专利类型：发明专利发明人：佐藤史隆,中畑成二申请号：CN200980102461.7申请日：20090108公开号：CN101910477A公开日：20101208
摘要：本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
