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专利名称：正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：张昊,辛海维
申请号：CN201910056882.6申请日：20190122公开号：CN109686725A公开日：20190426
摘要：本发明提供一种正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法，该电阻结构包括若干个多晶硅单元电阻，每个多晶硅单元电阻包括位于中间区域的电阻值呈负温度系数变化的非金属化多晶硅区和位于端部区域的电阻值呈正温度系数变化的金属化多晶硅区，相邻多晶硅单元电阻通过在端部区域上形成的接触孔与电阻值呈正温度系数变化的金属线连接。该制造方法通过调整非金属化多晶硅区相对于金属化多晶硅区的占比，使金属化多晶硅区的电阻值随着温度的正向变化量大于或者等于非金属化多晶硅区的电阻值随着温度的负向变化量。本发明能够规避半导体器件性能的，在不增加工艺负担且保证器件工艺稳定度、不牺牲面积的情况下获得较高阻值的正温度系数多晶硅电阻结构。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：屈蘅
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