专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种芯片外延层结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：张帆,吴永胜,林少军申请号：CN202110191780.2申请日：20210219公开号：CN112820805A公开日：20210518
摘要：本发明提供了一种芯片外延层结构及其制造方法，包括衬底层、下层外延层、上层外延层及刻蚀缓冲层；所述下层外延层位于所述衬底层一端，所述下层外延层远离所述衬底层的一端设置有所述刻蚀缓冲层，所述刻蚀缓冲层远离所述衬底层的一端设置有所述上层外延层；所述刻蚀缓冲层的刻蚀速率低于所述上层外延层的刻蚀速率；在上层外延层和下层外延层之间加入刻蚀缓冲层，且刻蚀缓冲层的刻蚀速率小于上层外延层，即在对上层外延层进行刻蚀的过程中，刻蚀缓冲层的磨损速度低于上层外延层，从而在对上层外延层的刻蚀过程中起到对下层外延层的保护作用。
申请人：福建兆元光电有限公司
地址：350109 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区
国籍：CN
代理机构：福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人：段惠存
更多信息请下载全文后查看
