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专利名称：纳米栅及纳米栅器件的制备方法专利类型：发明专利
发明人：何泽召,蔚翠,刘庆彬,高学栋,郭建超,周闯杰,冯志红申请号：CN201910696974.0申请日：20190730公开号：CN110429030A公开日：20191108
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
地址：050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：付晓娣
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