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一种基于Ⅱ类非临界相位匹配的共振增强腔倍频装置

来源:微智科技网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明

(21)申请号 CN201610267047.3 (22)申请日 2016.04.26

(71)申请人 中国科学院理化技术研究所

地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号

(10)申请公布号 CN107317217B

(43)申请公布日 2019.12.17

(72)发明人 许祖彦;王明强;王志敏;张丰丰;宗楠;张申金;杨峰;彭钦军 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司

代理人 李相雨

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种基于Ⅱ类非临界相位匹配的共振增强腔倍频装置

(57)摘要

本发明公开了一种基于Ⅱ类非临界相位匹

配的共振增强腔倍频装置,包括:至少由输入耦合镜、输出耦合镜、第一非线性晶体和第二非线性晶体组成的共振增强腔;其中,所述输入耦合镜用于将基频光耦合入所述共振增强腔;所述第一非线性晶体用于对通过所述第一非线性晶体内的基频光的第一偏振光分量与第二偏振光分量进行相位补偿,以使从所述第一非线性晶体通过的基频光的第一偏振光分量和第二偏振光分量的相

位差为2π的整数倍;所述第二非线性晶体用于使通过所述第二非线性晶体内的基频光满足第Ⅱ类非临界相位匹配条件,以得到从所述第二非线性晶体产生并输出的倍频光;所述输出耦合镜用于将所述共振增强腔内的倍频光输出。

法律状态

法律状态公告日

2017-11-03 2017-11-03 2017-11-03 2017-11-28 2017-11-28 2019-12-17

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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