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专利名称：图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法专利类型：发明专利发明人：田志,陈昊瑜,顾珍申请号：CN201510367294.6申请日：20150629公开号：CN104916655A公开日：20150916
摘要：本发明提供了图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法，在具有光电二极管和像素单元电路的像素单元结构中，向半导体衬底中且对应于浅沟槽隔离结构下方的区域进行离子注入，以形成离子注入区，这些注入的离子经退火后形成多个空隙，这些空隙成为电子迁移的势垒，由于在光电二极管和像素单元电路下方的区域为非耗尽区，从而阻挡非耗尽区的电子扩散到邻近的像素单元，以降低邻近像素之间的电学互扰。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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