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专利名称：降低瞬时电压抑制器骤回的电路结构专利类型：发明专利
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密申请号：CN200780026836.7申请日：20070529公开号：CN101490820A公开日：20090722
摘要：本发明公开一电子器件，该电子器件为一种集成电路(IC)结构，其中此电子器件进一步包括一瞬时电压抑制器(TVS)电路。该瞬时电压抑制器电路包括连接在双极型结型晶体管(BJT)的发射极与集电极之间的一触发式齐纳二极管。其中齐纳二极管具有一反向击穿电压，此击穿电压小于或等于双极型结型晶体管的集电极－发射极击穿电压，且此双极型结型晶体管是利用开启的基极以承受集电极－发射极击穿电压。上述瞬时电压抑制电路进一步包括一整流器，该整流器以并联的方式连接上述的双极型结型晶体管，且通过整流器触发一整流电路，来进一步限定反向阻隔电压的增加。在一较佳实施例中，通过在N型阱或是P型阱内植入第一或第二导电类型的掺杂区域，从而将触发式齐纳二极管、双极型结型晶体管以及整流器形成在一半导体衬底上。
申请人：万国半导体股份有限公司
地址：百慕大哈密尔顿
国籍：BM
代理机构：上海新天专利代理有限公司
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