专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：封装结构的形成方法专利类型：发明专利发明人：石明达,石磊,陶玉娟申请号：CN201310654106.9申请日：20131205公开号：CN103745939A公开日：20140423
摘要：一种封装的形成方法，包括：提供引线框金属层；刻蚀所述引线框金属层，形成若干分立的引脚，相邻引脚之间具有开口；在所述开口内填充满塑封材料，形成第一塑封层；在所述引脚的表面形成金属凸块；提供半导体芯片，所述半导体芯片的表面形成有焊盘，所述焊盘上形成有焊料层；将半导体芯片倒装在引脚上方，将半导体芯片上的焊料层与金属凸块焊接在一起。本发明方法形成的封装结构占据的体积小，集成度高。
申请人：南通富士通微电子股份有限公司
地址：226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
更多信息请下载全文后查看
