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专利名称：高纯度铝纯化方法以及装置专利类型：发明专利
发明人：大岩一彦,姚科科,广田二郎,中村晃,林智行,山田浩申请号：CN202011316884.3申请日：20201120公开号：CN112553473A公开日：20210326
摘要：本申请涉及金属铝提纯领域，具体而言，涉及一种高纯度铝纯化方法以及装置。该纯化方法包括以下步骤：对铝原料熔炼；在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管旋转，分离部件环绕析晶冷却管旋转，且二者旋转方向相反。通过在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管和分离部件反向旋转，能够有效地防止熔融铝随着析晶冷却管一起旋转，这样就加快了相对旋转速度，熔融铝往反方向旋转，从而能够使得浓化层变薄，纯化效率提高，进而能够使得析晶量增加。
申请人：浙江最成半导体科技有限公司
地址：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠镇人民东路1433号百酷时尚产业园内2幢317室
国籍：CN
代理机构：成都维飞知识产权代理有限公司
代理人：魏春蓉
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