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专利名称：钨硅靶材的制造方法专利类型：发明专利
发明人：姚力军,相原俊夫,大岩一彦,潘杰,王学泽,张涛申请号：CN201410668721.X申请日：20141120公开号：CN105671483A公开日：20160615
摘要：一种钨硅靶材的制造方法，包括：提供钨粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坯料；将所述钨硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钨硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钨硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。
申请人：宁波江丰电子材料股份有限公司
地址：315400 浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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