专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：钨硅靶材的制造方法专利类型：发明专利
发明人：姚力军,相原俊夫,大岩一彦,潘杰,王学泽,宋佳申请号：CN201210374813.8申请日：20120927公开号：CN103695852A公开日：20140402
摘要：本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。本发明的制备方法工艺步骤少，生产速度快。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
申请人：宁波江丰电子材料有限公司
地址：315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
更多信息请下载全文后查看
