[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200810141561.8
[51]Int.CI.
C30B 15/00 (2006.01)C30B 29/06 (2006.01)
[43]公开日2009年3月4日[22]申请日2008.10.08[21]申请号200810141561.8
[71]申请人河南明鑫科技发展有限公司
地址467000河南省汝州市轻工业园区(汝大公
路南)[72]发明人魏明杰 贾浩
[11]公开号CN 101377007A
权利要求书 1 页 说明书 2 页
[54]发明名称
一种硅靶制作工艺
[57]摘要
本发明具体涉及一种硅靶制作工艺，包括将固态的多晶硅加热、熔化、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。采用本方法生产的硅靶，生产周期快、生产成本低、工艺流程简单、产品纯度高、电阻率低、局部密度加强，并且硅靶材料晶体没有裂纹、坑及漩涡。
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权 利 要 求 书
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1、一种硅靶制作工艺，其特征在于，包括以下步骤： (1)、将固态的多晶硅装入单晶炉内，通过石墨高温加热； (2)、将固态硅加热到1428℃的高温进行熔化； (3)、将熔化后的硅引晶；
(4)、引晶达到目标直径后开始放肩；
(5)、放肩达到目标直径时，提高上轴拉速转肩，然后进行等径，目标直径的
误差在为0.1-0.2mm；
(6)、锅内熔硅余料达到10％--15％收尾。
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说 明 书
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一种硅靶制作工艺
技术领域
本发明具体涉及一种硅靶制作工艺。背景技术
目前，市场上生产的硅靶材料普遍存在晶体有裂纹，有坑及漩涡，而且生产周期长，电阻率高。发明内容
本发明是提供一种生产周期快、电阻率低，硅靶材料晶体没有有裂纹、有坑及漩涡的制作工艺。
本发明的具体内容是：一种硅靶制作工艺，包括以下步骤： (1)、将固态的多晶硅装入单晶炉内，通过石墨高温加热； (2)、将固态硅加热到1428℃的高温进行熔化； (3)、将熔化后的硅引晶；
(4)、引晶达到目标直径后开始放肩；
(5)、放肩达到目标直径时，提高上轴拉速转肩，然后进行等径，目标直径的
误差在为0.1-0.2mm；
(6)、锅内熔硅余料达到10％--15％开始收尾；
本发明的有益效果是：生产周期快，生产成本低，工艺流程、简单产品纯度高、电阻率低，局部密度加强，无污染。 具体实施方式：
将纯度99.9999％的多晶硅装入数控80单晶炉内，通过石墨高温加热，将纯度99.9999％的多晶硅以1428℃的高温进行熔化。待固态的硅完全熔化后，开始引晶。引晶达到目标直径长度后，开始放肩，放肩时需降低炉内温度，生长出
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200810141561.8说 明 书 第2/2页
类似伞状的圆片，达到目标直径时，提高上轴拉速转肩。等径过程中目标直径的控制由温度控制系统对单晶炉内部热系统进行调整，达到直径控制误差在0.1-0.2mm。观察炉内余料情况，锅内熔硅余料达到10％--15％时进行收尾，收尾后关闭氨气，关闭真空泵。一支低阻晶体控制结束。将控制好的晶体放在高精密度的线切割机上进行开方、切片、制作，最后通过清洗机处理烘干后，进行包装、入库、出厂。采用本方法生产的硅靶，生产周期快，生产成本低，工艺流程、简单产品纯度高、电阻率低，局部密度加强，无污染，硅靶材料晶体没有裂纹、坑及漩涡。
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