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专利名称：一种利用低层数氧化石墨烯制备石墨烯的方法专利类型：发明专利
发明人：李星,刘长虹,蔡雨婷,漆长席,蒋虎南申请号：CN201811493454.1申请日：20181207公开号：CN109305671A公开日：20190205
摘要：本发明提供了一种利用低层数氧化石墨烯制备石墨烯的方法，所述方法包括：对纯化对象进行纯化处理，得到纯化后的氧化石墨烯；对所述纯化后的氧化石墨烯进行冷冻干燥处理，得到低层数氧化石墨烯；对所述低层数氧化石墨烯进行还原处理，得到石墨烯。本发明可以提高氧化石墨烯纯化的彻底性，能够有效地使氧化石墨烯和杂质分离，去除杂质；通过冷冻干燥的方法得到低层数的氧化石墨烯，不会破坏氧化石墨片层的结构，较好的保存官能团，经冷冻干燥后的氧化石墨不易发生团聚现象；利用高温低压强在不同的温度、压强区域下使低层数的氧化石墨烯发生反应，充分利用了石墨烯熔沸点高的特点，能够很好去除石墨烯中的金属、非金属杂质。
申请人：四川聚创石墨烯科技有限公司,大英聚能科技发展有限公司
地址：610036 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙路电子检测中心一层
国籍：CN
代理机构：成都中玺知识产权代理有限公司
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