（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）
1. 设备用途
1.1. 可实现氧化硅、氮化硅、非晶硅（ n+ a-Si:H和 intrinsic a-Si:H）等介质
薄膜的化学气相沉积。
1.2. 投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。
2. 设备规格
2.1. 反应腔体：
2.1.1. 腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。 2.1.2. 真空窗口，可观察腔体内部状况。 2.2. 上电极：
2.2.1. 铝制电极。 2.2.2. 配备气体喷淋环。 2.3. 下电极：
2.3.1. 铝制电极。
2.3.2. 直径不小于 200mm。
2.3.3. 可承载 6 英寸晶圆或 4x4 cm 玻璃片。 2.3.4. 采用电阻式加热温控装置，晶圆最高温可达 2.4. 射频电源：
2.4.1. 采用进口射频电源，功率不低于 300W，频率为 13.56MHz，可自动进
行匹配。（国际知名品牌例如： AE、ADTEC等）
350℃。
2.5. 反应气体模块：
2.5.1. * 工艺气体：至少配置 6 路。
2.5.2. 采用进口质量流量控制器（ MFC ），精准度 <1%。（国际知名品牌例
如： MKS 、Brooks 等）
2.5.3. 采用美国 Swagelok 气动截止阀。
2.5.4. 采用 1/4\" SUS316电抛光 EP管及 VCR接头。 2.6. 真空测量控制系统：
2.6.1. 采用进口真空计，可进行等离子体工艺压力读取与控制。 （国际知名品
牌例如： Edwards、 Inficon、 MKS等）
2.7. 反应腔体抽真空系统：
2.7.1. * 采用进口干泵。（国际知名品牌例如： Alcatel、HanBell、Edwards等）
2.7.2. 6min 内，反应腔体可从大气抽真空至 2.7.3. 配备自动压力控制装置 (APC)。 2.8. 自动控制系统：
5E-2 Torr。
2.8.1. 全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵
抽气及排气以及所有挡板及阀门。
3. 工艺要求
3.1. SiO2沉积工艺：
3.1.1. * 沉积速率：≥ 40 nm/min
3.1.2. * 片内厚度均匀性：≤ ± 3%（6 英寸） 3.1.3. * 片间厚度重复性：≤ ± 3% 3.1.4. 折射率： 1.45±0.05
3.1.5. 薄膜应力：≤ 300 MPa
BHF刻蚀速率：≤ 300 nm/min （ +25oC，3.1.6. 10:1）
3.2. Si3N4沉积工艺：
3.2.1. * 沉积速率：≥ 30 nm/min
3.2.2. * 片内厚度均匀性：≤ ± 5%（6 英寸） 3.2.3. * 片间厚度重复性：≤ ± 3% 3.2.4. 折射率： 1.95±0.05
3.2.5. 薄膜应力：≤ 300 MPa
BHF刻蚀速率：≤ 100 nm/min （ +25oC，3.2.6. 10:1）
3.3. intrinsic a-Si:H沉积工艺：
3.3.1. * 片内厚度均匀性：≤ ± 5%（6 英寸） 4. 用户培训
4.1. 交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介
绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。
4.2. 提供中文和英文标准作业流程（ SOP）纸本各两份与电子文件。 4.3. 提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。
5. 交货日期
合同签订后 4 个月可以完成交货 。
