快速找引晶温度简介
目的: 缩短拉晶时间,降低生产成本,提高公司效益.
目前现状: 提盖子后炉内温度比较低,引晶温度不好找或找引晶温度
时间较长
期望: 提盖子后能够快速(30分钟内)找到引晶温度,引出高质量
的单晶,达到三段式引晶效果。
提盖子是在较低的温度下进行,盖子提出后炉内温度一般比较低,为了能够快速找到引晶温度-----节省时间和成本,同时能引出高质量的单晶(三段式引晶)。测完电阻后，进行如下操作后，能够快速找到合适的引晶温度，而且适合三段式引晶规格。 具体操作:
1、 提盖子后，将功率升高至引晶功率以上3—5kw，将埚转降至2
转，埚位升到引晶埚位，将籽晶按照工艺要求降至离液面3—5mm对籽晶进行预热。
2、 等待几分钟后，看热场测量值与本炉引晶时设定值的差值，当
差值较小时（4--6sp左右），此时可以降籽晶至熔硅中，进行熔接。当籽晶周围逐渐出现光圈，然后光圈变圆，这时，就说明此时温度已经达到引晶的要求。
3、 待熔接好后，逐渐升高埚转（升至引晶时的埚转，五分钟内完
成），然后将功率降到比本次引晶功率低1-2kw，待籽晶光圈周围出现4个点时，直接点“手动引晶”工艺流程，进行手动引晶即可。 此方法的好处： 1、 节约调温时间 2、 高温熔接
3、 高温时升埚转降温，可以达到开始低拉速，中途高拉速，引晶
后期为低拉速，符合三段式引晶。
注：本操作的具体实施需要更多的数据及实际操作后方能推广，目前之所以放在这里提起，是希望大家评审一下，提出一些宝贵的建议和意见，以便及时改进或终止。
附：相关炉台试验数据介绍
以上为定性说明此操作，下面是晶体编号为SG0909098-4采用此操作后的一些相关数据和图片介绍。 相关数据：
晶体编号 0909098-4 手动引晶时间 15：50 放盖子测电阻时间 15：00 调温时间 39 隔离时间 15：11 引晶时间 46 副室净化时间 切换手动时间 15：18 放肩 16：36 15：26 成功率 一次成功 以上数据为炉台生长记录中数据，具体见下列图片所示。本炉晶体的调温时间从放盖子后隔离时进行计时，从上述数据看，本次调温时间为39分钟。 下图为相关图片：
1、下图为提盖子后副室隔离及引晶时的生长记录
2、此图为引晶时晶体生长速率曲线数据
从此图中可以看出，晶体拉速出现三个高峰区，在引晶后期引晶拉速有比较明显的降低，说明此时的热场温度比较高，进而在进行放肩时不容易放飞。
3、下图为按照此方法引出的细颈外观质量
4、 本炉晶体引晶一次成功，具体晶体图片未进行记录。下图为本
炉拉晶记录单。
以上数据不足之处在于没有拍摄引晶调温时的埚转和加热器功率调节操作。
