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专利名称：一种高介电常数界面层的制备方法专利类型：发明专利
发明人：温振平,肖天金,邱裕明申请号：CN201510624053.5申请日：20150927公开号：CN105336596A公开日：20160217
摘要：一种高介电常数界面层的制备方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并利用HSO和HO的混合溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S2：采用RCA清洗法对硅基衬底进行清洗；步骤S3：采用HF溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S4：采用热氧化法生长SiO/SiON过渡层；步骤S5：采用SC1化学溶液清洗工艺清洗SiO/SiON过渡层；步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。通过本发明的制备方法所获得的高介电常数界面层，可以有效降低高介电常数界面层的界面态密度，并且提高随后生长的铪基栅介质层的性质，进而改善器件的性能。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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