GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200810109546.5 （22）申请日 2008.06.02

（71）申请人 住友电气工业株式会社

地址 日本大阪府大阪市

（10）申请公布号 CN101319402A

（43）申请公布日 2008.12.10

（72）发明人 松本直树;佐藤史隆;中畑成二;冈久拓司;上松康二 （74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人 梁晓广

（51）Int.CI

C30B29/38; C30B25/20;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底

（57）摘要

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在

此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以

提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。

法律状态

法律状态公告日

2008-12-10 2009-10-14 2012-05-16

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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