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专利名称：一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置专利类型：发明专利
发明人：王圣来,房昌水,李毅平,顾庆天,孙洵,高樟寿,王波申请号：CN03139027.7申请日：20030901公开号：CN1519397A公开日：20040811
摘要：一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置，属于晶体生长技术领域。原料为固体KDP类晶体的粉状原料，生长溶液是以水或重水为溶剂配置的溶液，籽晶采用与生长晶体相同的透明Z切晶片固定到载晶架上，固体KDP类晶体原料加入生长容器底部，加挡板，配制好的溶液经超细微孔滤膜过滤后加入容器中，分别控制晶体生长容器的两个温区的温度，采用恒温法并结合降温法生长大截面KDP类晶体。生长装置是在晶体生长容器中设有一挡板将容器隔成两部分，形成高、低两个温区，挡板上有小孔。本发明生长工艺容易实现，设备简单，可获得高质量大截面磷酸二氢钾类单晶体。
申请人：山东大学
地址：250100 山东省济南市山大南路27号
国籍：CN
代理机构：济南三达专利事务所
代理人：孙君
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