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原子层沉积[发明专利]

来源:微智科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:原子层沉积专利类型:发明专利

发明人:G.阿马拉藤加,Y.乔伊,S.希瓦雷迪,N.布朗,C.科利斯申请号:CN2013800293.6申请日:20130403公开号:CN104379807A公开日:20150225

摘要:一种通过使用原子层沉积过程将材料沉积到基底上的方法,其中所述沉积过程包括第一沉积步骤、第一沉积步骤后的第二沉积步骤和在所述第一沉积步骤和第二沉积步骤之间的至少一分钟的延迟。每个沉积步骤包括多个沉积循环。延迟通过在选择的一个沉积循环结束处延迟净化气体被供应到容纳基底的处理腔室的时间段而被引入到沉积过程中。

申请人:戴森技术有限公司

地址:英国威尔特郡

国籍:GB

代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:陈钘

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