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专利名称：晶种层结构和方法专利类型：发明专利
发明人：江祯斌,王泓智,李魁斌,周其雨,梁耀祥申请号：CN201310030491.X申请日：20130125公开号：CN103681612A公开日：20140326
摘要：晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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