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专利名称：QLED器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王宇,曹蔚然,杨一行,钱磊申请号：CN201611226239.6申请日：20161227公开号：CN106784191A公开日：20170531
摘要：本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为核壳量子点，且其壳层为ZnS；所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成，其中，所述电子传输层由N型ZnS制成，所述空穴传输层由P型ZnS制成，且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：黄志云
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