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专利名称：一种薄膜沉积系统及控制方法专利类型：发明专利
发明人：袁洁,何格,张旭,魏忠旭,金魁申请号：CN201810077393.4申请日：20180126公开号：CN108396294A公开日：20180814
摘要：本发明是一种薄膜沉积系统及控制方法，其中，所述薄膜沉积系统包括：薄膜沉积腔，用于进行薄膜制备；样品转移腔，用于提供样品转移的通道；抽真空装置，用于进行抽真空；真空管道，具有与薄膜沉积腔相连的第一端口、与样品转移腔相连的第二端口、以及与抽真空装置相连的第三端口，所述第一端口处设有第一阀门，所述第二端口处设有第二阀门；样品传送杆，安装在样品转移腔上，设置成可沿着样品转移腔、真空管道和薄膜沉积腔移动。本发明中的薄膜沉积系统不仅可以与各种类型的薄膜生长设备或薄膜测量设备连接，实现样品在高真空状态下薄膜生长或薄膜测量，还可以转移到需要的工作地点，使用方便。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街8号
国籍：CN
代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司
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