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专利名称：一种发光二极管外延片的生长方法专利类型：发明专利发明人：姚振,从颖,胡加辉申请号：CN201610887200.2申请日：20161011公开号：CN1049915A公开日：20170222
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、P型层，所述MQW层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；量子阱层分成第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱三种，第一类量子阱中的量子阱层的生长温度逐层降低，第二类量子阱中的量子阱层的In含量逐层变化，第三类量子阱中的量子阱层的In含量和Ga含量的比值逐层减小，所有量子阱层沿发光二极管外延片的生长方向依次属于第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱。本发明可以有效提高电子波函数和空穴波函数的重叠程度，最终提高了LED的发光效率。
申请人：华灿光电(浙江)有限公司
地址：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内)
国籍：CN
代理机构：北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人：徐立
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