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专利名称：发光二极管外延片、发光二极管、显示装置专利类型：实用新型专利
发明人：林志伟,陈凯轩,曲晓东,赵斌,蔡建九申请号：CN201921278817.X申请日：20190808公开号：CN210182401U公开日：20200324
摘要：本实用新型提供了发光二极管外延片、发光二极管、显示装置，包括衬底、及依次层叠于所述衬底上表面的第一型导电层、有源层和第二型导电层，所述有源层包括n个依次堆叠的周期单元，所述周期单元包括量子垒层、量子阱层及设置在所述量子阱层的至少一表面的界面调节层；所述界面调节层包括Te掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物层。使所述界面调节层、量子阱层的金属原子与Te元素通过键合形成晶体结构，能够有效地钝化量子阱层表面、减少其表面缺陷，从而减小量子垒层与量子阱层之间的晶格失配。其次，能使所述量子阱层表面的宽度增加，使更多的载流子被俘获到量子阱层内，提升辐射复合效率，从提高发光二极管的亮度。
申请人：厦门乾照半导体科技有限公司
地址：361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路267号
国籍：CN
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